ДОЛЖНОСТНАЯ
ИНСТРУКЦИЯ
ведущего инженера-технолога
1. Общие положения
1.1. Настоящая должностная инструкция
определяет функциональные, должностные
обязанности, права и ответственность
ведущего инженера-технолога подразделения «Технические технологии»
(далее - Ведущий инженер-технолог) Фонд инфраструктурных и образовательных программ (РОСНАНО) (далее Учреждение).
1.2. На должность ведущего инженера-технолога назначается
лицо, удовлетворяющее следующим требованиям к образованию и обучению:
Высшее образование - специалитет, магистратура;
с опытом практической работы:
Не менее одного года работы в должности инженера-технолога;
Особые условия допуска к работе ведущего инженера-технолога :
инструктаж по безопасному ведению работ;
Прохождение обязательных предварительных (при поступлении на работу) и периодических медицинских осмотров (обследований) в установленном законодательством порядке;;
1.3. Ведущий инженер-технолог должен знать:
Стандарты по постановке продукции на производство;
Основы технологии МИС СВЧ;
Методы сквозного проектирования МИС СВЧ;
ЕСТД, нормативная документация, регламенты, принятые в организации;
Основы физики гетероэпитаксиальных структур и приборов;
Современные системы моделирования и проектирования СВЧ-устройств и МИС СВЧ;
Параметры полупроводниковых материалов;
Современные системы моделирования и проектирования СВЧ устройств и МИС СВЧ;
Основы физики гетероэпитаксиальных структур и приборов;
Методы сквозного проектирования МИС СВЧ;
Основы технологии МИС СВЧ;
ГОСТ по постановке продукции на производство;
Параметры полупроводниковых материалов;
Единая система технологической документации (ЕСТД), нормативная документация, регламенты, принятые в организации;
Системный анализ;
Стандарты на проведение опытно-технологических работ;
Технологическое оборудование для производства МИС СВЧ;
Технико-экономическое обоснование развития отрасли;
Методы декомпозиции сложных задач;
Физика и технология наногетероструктурных МИС СВЧ, исследования в новых направлениях;
Технология наногетероструктурных МИС СВЧ, исследования в новых направлениях;
Технический английский язык;
Технологическое оборудование для производства МИС СВЧ;
Технико-экономические и прогнозные исследования в отрасли;
Основы материаловедения полупроводников и гетероструктур;
Технико-экономические и прогнозные исследования в отрасли;
Технологическое оборудование для производства МИС СВЧ;
Технический английский язык;
Технология наногетероструктурных МИС СВЧ;
1.4. Ведущий инженер-технолог должен уметь:
Составлять согласно стандартам технические задания на разработку ТД МИС СВЧ;
Оценивать временные затраты на стандартные и нестандартные подходы при производстве МИС СВЧ;
Оформлять ТД для сопровождения производства МИС СВЧ;
Оценивать технические и экономические риски при выборе технологических процессов изготовления МИС СВЧ;
Взаимодействовать с коллективами цехов, участков;
Оценивать временные затраты на стандартные и нестандартные подходы при производстве МИС СВЧ;
Оценивать технические и экономические риски при выборе технологических процессов изготовления МИС СВЧ;
Формулировать цели, задачи, разрабатывать и согласовывать ТЗ на проведение связанных системно ОТР;
Готовить планы развития;
Готовить презентации;
Делать обзоры по отечественным и иностранным источникам информации;
Делать обзоры по отечественным и иностранным источникам информации;
1.5. Ведущий инженер-технолог назначается на должность
и освобождается от должности приказом
генерального директора Учреждения в соответствии с
действующим законодательством Российской
Федерации.
1.6.
Ведущий инженер-технолог подчиняется генеральному директору Учреждения
и начальнику подразделения
«Технические технологии»
2.
Трудовые функции
2.1. Подготовка технического задания (ТЗ) на разработку маршрутных и операционных карт производства МИС СВЧ на основе разработанной конструкторской документации (КД), документации на отработанные технологические процессы (ТП) и данных моделирования.
2.2. Моделирование наногетероструктур, активных и пассивных элементов, технологических операций изготовления гетероструктурных МИС СВЧ с использованием технологических систем моделирования и проектирования элементов и технологий полупроводниковых ИС, в том чис.
2.3. Подготовка технического задания (ТЗ) на проведение опытно-технологических работ (ОТР) по разработке новых технологических процессов производства МИС СВЧ.
2.4. Разработка планов создания и модернизации технологических линий для освоения новых направлений в наногетероструктурной электронике СВЧ.
2.5. Анализ мирового опыта применения материалов наногетероструктурной электроники СВЧ.
3.
Должностные обязанности
3.1. Оценка на основе опыта и экспериментальных данных реализуемости технологии изготовления на МИС СВЧ и возможных рисков.
3.2. Составление ТЗ на разработку ТД с учетом требований КД.
3.3. Анализ требований КД на МИС СВЧ, а также данных моделирования наногетероструктур, активных и пассивных элементов.
3.4. Согласование ТЗ в соответствии с регламентом, принятым в организации.
3.5. Выбор на основе нормативных документов ТП, в наиболее полном виде обеспечивающих требования к параметрам МИС СВЧ.
3.6. Моделирование технологического процесса изготовления активных элементов, определение параметров ТП на основе данных моделирования.
3.7. Отчет о результатах моделирования, согласование его с руководителем и передача технологу для использования при разработке ТД.
3.8. Моделирование технологических операций изготовления пассивных элементов - линий передачи, конденсаторов, резисторов, мостов, и др..
3.9. Выбор на основе опыта и в соответствии с ТЗ и КД материалов и типа наногетероструктуры.
3.10. Анализ требований КД на МИС СВЧ.
3.11. Моделирование наногетероструктур, определение их параметров, необходимых для расчета активных элементов (СВЧ-транзисторов, диодов) с использованием TCAD и других программных продуктов.
3.12. Постановка целей и задач проведения опытно-технологических работ по разработке новых ТП производства МИС СВЧ.
3.13. Анализ прогнозных оценок тенденций развития технологии, технологического оборудования в области наногетероструктурной электроники СВЧ.
3.14. Формулирование ТЗ для определенной последовательности разработки базовых технологических процессов.
3.15. Представление и защита разработанных ТЗ на НТС.
3.16. Представление планов развития для обсуждения и принятия на НТС.
3.17. Декомпозиция задач ОТР, выделение базовых ТП и установление временных рамок и последовательности их разработки.
3.18. Оформление ТЗ на ОТР.
3.19. Анализ тенденций развития технологии, технологического оборудования в области наногетероструктурной электроники СВЧ.
3.20. Представление планов развития для обсуждения и принятия на научно-техническом совете (НТС).
3.21. Разработка технически и экономически обоснованных планов развития новых производств или модернизации существующих для освоения новых направлений в производстве МИС СВЧ.
3.22. Прогноз применения материалов в наногетероструктурной электронике для определения политики организации в области производства наногетероструктурных МИС СВЧ.
3.23. Анализ физических и технологических принципов разработки и изготовления активных элементов с применением новых и традиционных материалов СВЧ (гетеротранзисторов с высокой подвижностью электронов, низкобарьерных диодов и др.).
3.24. Анализ применения материалов в интегральной электронике СВЧ, основанной на гетероэпитаксиальных структурах.
3.25 Дополнительно:
Ответственность за прогнозные оценки развития производства;
Деятельность, направленная на подготовку заданий на конструирование МИС СВЧ;
Деятельность, направленная на решение нетиповых задач технологического характера;
Деятельность, направленная на решение новых задач технологического характера;
Деятельность, направленная на подготовку заданий на разработку технологических процессов МИС СВЧ;
Самостоятельная профессиональная деятельность, предполагающая ответственность за выбор типа гетероструктур и активных элементов, как результат выполнения собственных работ;
Ответственность за развитие производства;
Изменить трудовые функции
4.
Права
Ведущий инженер-технолог
имеет право:
4.1. Запрашивать и получать необходимую
информацию, а так же материалы и документы,
относящиеся к вопросам деятельности
ведущего инженера-технолога .
4.2. Повышать квалификацию, проходить
переподготовку (переквалификацию).
4.3. Вступать во взаимоотношения с
подразделениями сторонних учреждений
и организаций для решения вопросов,
входящих в компетенцию ведущего инженера-технолога .
4.4. Принимать участие в обсуждении
вопросов, входящих в его функциональные
обязанности.
4.5. Вносить предложения и замечания
по вопросам улучшения деятельности на
порученном участке работы.
4.6. Обращаться в соответствующие
органы местного самоуправления или в
суд для разрешения споров, возникающих
при исполнении функциональных
обязанностей.
4.7. Пользоваться информационными материалами и нормативно-правовыми документами, необходимыми для исполнения своих должностных обязанностей.
4.8. Проходить в установленном порядке
аттестацию.
5.
Ответственность
Ведущий инженер-технолог несет ответственность
за:
5.1. Неисполнение (ненадлежащее
исполнение) своих функциональных
обязанностей.
5.2. Невыполнение распоряжений и
поручений генерального директора Учреждения.
5.3. Недостоверную
информацию о состоянии выполнения
порученных заданий и поручений, нарушении
сроков их исполнения.
5.4. Нарушение правил
внутреннего трудового распорядка,
правила противопожарной безопасности
и техники безопасности, установленных
в Учреждении.
5.5. Причинение материального
ущерба в пределах, установленных
действующим законодательством Российской
Федерации.
5.6. Разглашение сведений, ставших
известными в связи с исполнением
должностных обязанностей.
За вышеперечисленные
нарушения ведущий инженер-технолог может быть
привлечен в соответствии с действующим
законодательством в зависимости от
тяжести проступка к дисциплинарной,
материальной, административной,
гражданской и уголовной ответственности.
Настоящая должностная инструкция разработана в соответствии с положениями
(требованиями) Трудового кодекса Российской Федерации от 30.12.2001 г. № 197 ФЗ (ТК РФ)
(с изменениями и дополнениями), профессионального стандарта «Инженер-технолог в области производства наногетероструктурных СВЧ-монолитных интегральных схем»
утвержденного приказом Министерства труда и социальной защиты Российской Федерации от 3 февраля 2014 г. № 69н
и иных нормативно–правовых актов, регулирующих трудовые отношения.
Поделиться должностной инструкцией в соцсетях: