ДОЛЖНОСТНАЯ ИНСТРУКЦИЯ

ведущего инженера-технолога


1. Общие положения


1.1. Настоящая должностная инструкция определяет функциональные, должностные обязанности, права и ответственность ведущего инженера-технолога подразделения «Технические технологии» (далее - Ведущий инженер-технолог) Фонд инфраструктурных и образовательных программ (РОСНАНО) (далее Учреждение).

1.2. На должность ведущего инженера-технолога назначается лицо, удовлетворяющее следующим требованиям к образованию и обучению:

  • Высшее образование - специалитет, магистратура;

    • с опытом практической работы:

  • Не менее одного года работы в должности инженера-технолога;

    • Особые условия допуска к работе ведущего инженера-технолога :

  • инструктаж по безопасному ведению работ;
  • Прохождение обязательных предварительных (при поступлении на работу) и периодических медицинских осмотров (обследований) в установленном законодательством порядке;;

    • 1.3. Ведущий инженер-технолог должен знать:

  • Стандарты по постановке продукции на производство;
  • Основы технологии МИС СВЧ;
  • Методы сквозного проектирования МИС СВЧ;
  • ЕСТД, нормативная документация, регламенты, принятые в организации;
  • Основы физики гетероэпитаксиальных структур и приборов;
  • Современные системы моделирования и проектирования СВЧ-устройств и МИС СВЧ;
  • Параметры полупроводниковых материалов;
  • Современные системы моделирования и проектирования СВЧ устройств и МИС СВЧ;
  • Основы физики гетероэпитаксиальных структур и приборов;
  • Методы сквозного проектирования МИС СВЧ;
  • Основы технологии МИС СВЧ;
  • ГОСТ по постановке продукции на производство;
  • Параметры полупроводниковых материалов;
  • Единая система технологической документации (ЕСТД), нормативная документация, регламенты, принятые в организации;
  • Системный анализ;
  • Стандарты на проведение опытно-технологических работ;
  • Технологическое оборудование для производства МИС СВЧ;
  • Технико-экономическое обоснование развития отрасли;
  • Методы декомпозиции сложных задач;
  • Физика и технология наногетероструктурных МИС СВЧ, исследования в новых направлениях;
  • Технология наногетероструктурных МИС СВЧ, исследования в новых направлениях;
  • Технический английский язык;
  • Технологическое оборудование для производства МИС СВЧ;
  • Технико-экономические и прогнозные исследования в отрасли;
  • Основы материаловедения полупроводников и гетероструктур;
  • Технико-экономические и прогнозные исследования в отрасли;
  • Технологическое оборудование для производства МИС СВЧ;
  • Технический английский язык;
  • Технология наногетероструктурных МИС СВЧ;

    • 1.4. Ведущий инженер-технолог должен уметь:

  • Составлять согласно стандартам технические задания на разработку ТД МИС СВЧ;
  • Оценивать временные затраты на стандартные и нестандартные подходы при производстве МИС СВЧ;
  • Оформлять ТД для сопровождения производства МИС СВЧ;
  • Оценивать технические и экономические риски при выборе технологических процессов изготовления МИС СВЧ;
  • Взаимодействовать с коллективами цехов, участков;
  • Оценивать временные затраты на стандартные и нестандартные подходы при производстве МИС СВЧ;
  • Оценивать технические и экономические риски при выборе технологических процессов изготовления МИС СВЧ;
  • Формулировать цели, задачи, разрабатывать и согласовывать ТЗ на проведение связанных системно ОТР;
  • Готовить планы развития;
  • Готовить презентации;
  • Делать обзоры по отечественным и иностранным источникам информации;
  • Делать обзоры по отечественным и иностранным источникам информации;

    • 1.5. Ведущий инженер-технолог назначается на должность и освобождается от должности приказом генерального директора Учреждения в соответствии с действующим законодательством Российской Федерации.

    1.6. Ведущий инженер-технолог подчиняется генеральному директору Учреждения и начальнику подразделения «Технические технологии»


    2. Трудовые функции


  • 2.1. Подготовка технического задания (ТЗ) на разработку маршрутных и операционных карт производства МИС СВЧ на основе разработанной конструкторской документации (КД), документации на отработанные технологические процессы (ТП) и данных моделирования.
  • 2.2. Моделирование наногетероструктур, активных и пассивных элементов, технологических операций изготовления гетероструктурных МИС СВЧ с использованием технологических систем моделирования и проектирования элементов и технологий полупроводниковых ИС, в том чис.
  • 2.3. Подготовка технического задания (ТЗ) на проведение опытно-технологических работ (ОТР) по разработке новых технологических процессов производства МИС СВЧ.
  • 2.4. Разработка планов создания и модернизации технологических линий для освоения новых направлений в наногетероструктурной электронике СВЧ.
  • 2.5. Анализ мирового опыта применения материалов наногетероструктурной электроники СВЧ.


    • 3. Должностные обязанности


  • 3.1. Оценка на основе опыта и экспериментальных данных реализуемости технологии изготовления на МИС СВЧ и возможных рисков.
  • 3.2. Составление ТЗ на разработку ТД с учетом требований КД.
  • 3.3. Анализ требований КД на МИС СВЧ, а также данных моделирования наногетероструктур, активных и пассивных элементов.
  • 3.4. Согласование ТЗ в соответствии с регламентом, принятым в организации.
  • 3.5. Выбор на основе нормативных документов ТП, в наиболее полном виде обеспечивающих требования к параметрам МИС СВЧ.
  • 3.6. Моделирование технологического процесса изготовления активных элементов, определение параметров ТП на основе данных моделирования.
  • 3.7. Отчет о результатах моделирования, согласование его с руководителем и передача технологу для использования при разработке ТД.
  • 3.8. Моделирование технологических операций изготовления пассивных элементов - линий передачи, конденсаторов, резисторов, мостов, и др..
  • 3.9. Выбор на основе опыта и в соответствии с ТЗ и КД материалов и типа наногетероструктуры.
  • 3.10. Анализ требований КД на МИС СВЧ.
  • 3.11. Моделирование наногетероструктур, определение их параметров, необходимых для расчета активных элементов (СВЧ-транзисторов, диодов) с использованием TCAD и других программных продуктов.
  • 3.12. Постановка целей и задач проведения опытно-технологических работ по разработке новых ТП производства МИС СВЧ.
  • 3.13. Анализ прогнозных оценок тенденций развития технологии, технологического оборудования в области наногетероструктурной электроники СВЧ.
  • 3.14. Формулирование ТЗ для определенной последовательности разработки базовых технологических процессов.
  • 3.15. Представление и защита разработанных ТЗ на НТС.
  • 3.16. Представление планов развития для обсуждения и принятия на НТС.
  • 3.17. Декомпозиция задач ОТР, выделение базовых ТП и установление временных рамок и последовательности их разработки.
  • 3.18. Оформление ТЗ на ОТР.
  • 3.19. Анализ тенденций развития технологии, технологического оборудования в области наногетероструктурной электроники СВЧ.
  • 3.20. Представление планов развития для обсуждения и принятия на научно-техническом совете (НТС).
  • 3.21. Разработка технически и экономически обоснованных планов развития новых производств или модернизации существующих для освоения новых направлений в производстве МИС СВЧ.
  • 3.22. Прогноз применения материалов в наногетероструктурной электронике для определения политики организации в области производства наногетероструктурных МИС СВЧ.
  • 3.23. Анализ физических и технологических принципов разработки и изготовления активных элементов с применением новых и традиционных материалов СВЧ (гетеротранзисторов с высокой подвижностью электронов, низкобарьерных диодов и др.).
  • 3.24. Анализ применения материалов в интегральной электронике СВЧ, основанной на гетероэпитаксиальных структурах.
  • 3.25 Дополнительно:
  • Ответственность за прогнозные оценки развития производства;
  • Деятельность, направленная на подготовку заданий на конструирование МИС СВЧ;
  • Деятельность, направленная на решение нетиповых задач технологического характера;
  • Деятельность, направленная на решение новых задач технологического характера;
  • Деятельность, направленная на подготовку заданий на разработку технологических процессов МИС СВЧ;
  • Самостоятельная профессиональная деятельность, предполагающая ответственность за выбор типа гетероструктур и активных элементов, как результат выполнения собственных работ;
  • Ответственность за развитие производства;


    • Изменить трудовые функции


    4. Права


    Ведущий инженер-технолог имеет право:

    4.1. Запрашивать и получать необходимую информацию, а так же материалы и документы, относящиеся к вопросам деятельности ведущего инженера-технолога .

    4.2. Повышать квалификацию, проходить переподготовку (переквалификацию).

    4.3. Вступать во взаимоотношения с подразделениями сторонних учреждений и организаций для решения вопросов, входящих в компетенцию ведущего инженера-технолога .

    4.4. Принимать участие в обсуждении вопросов, входящих в его функциональные обязанности.

    4.5. Вносить предложения и замечания по вопросам улучшения деятельности на порученном участке работы.

    4.6. Обращаться в соответствующие органы местного самоуправления или в суд для разрешения споров, возникающих при исполнении функциональных обязанностей.

    4.7. Пользоваться информационными материалами и нормативно-правовыми документами, необходимыми для исполнения своих должностных обязанностей.

    4.8. Проходить в установленном порядке аттестацию.


    5. Ответственность


    Ведущий инженер-технолог несет ответственность за:

    5.1. Неисполнение (ненадлежащее исполнение) своих функциональных обязанностей.

    5.2. Невыполнение распоряжений и поручений генерального директора Учреждения.

    5.3. Недостоверную информацию о состоянии выполнения порученных заданий и поручений, нарушении сроков их исполнения.

    5.4. Нарушение правил внутреннего трудового распорядка, правила противопожарной безопасности и техники безопасности, установленных в Учреждении.

    5.5. Причинение материального ущерба в пределах, установленных действующим законодательством Российской Федерации.

    5.6. Разглашение сведений, ставших известными в связи с исполнением должностных обязанностей.

    За вышеперечисленные нарушения ведущий инженер-технолог может быть привлечен в соответствии с действующим законодательством в зависимости от тяжести проступка к дисциплинарной, материальной, административной, гражданской и уголовной ответственности.


    Настоящая должностная инструкция разработана в соответствии с положениями (требованиями) Трудового кодекса Российской Федерации от 30.12.2001 г. № 197 ФЗ (ТК РФ) (с изменениями и дополнениями), профессионального стандарта «Инженер-технолог в области производства наногетероструктурных СВЧ-монолитных интегральных схем» утвержденного приказом Министерства труда и социальной защиты Российской Федерации от 3 февраля 2014 г. № 69н и иных нормативно–правовых актов, регулирующих трудовые отношения.


    Скачать в формате MS Word
    Поделиться должностной инструкцией в соцсетях:
    Вконтакте Фейсбук Мой Мир@mail.ru Одноклассники Твиттер